12月30日，国产存储领域的核心企业——长鑫科技IPO获受理，标志着“国产存储第一股”即将登陆科创板。长鑫科技的IPO，是当前存储“超级周期”引发资本热潮中的标志性一幕。
市场领先地位与持续增长动力
长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。
招股书显示，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，长鑫科技的产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。根据招股书，目前长鑫科技已与阿里云、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户开展了深度合作。
从市场规模来看，存储芯片行业尤其是DRAM领域，正为长鑫科技提供显著的成长机遇。根据Omdia数据，按照产能与出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商之位。
招股书显示，2022年、2023年、2024年、2025年1-9月，长鑫科技的营业收入分别达82.87亿元、90.87亿元、241.78亿元及320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元，其中，2025年上半年毛利达20.07亿元，2022 年至2024 年主营业务收入复合增长率高达72.04%，呈高速增长态势。
创新引擎：以研发铸就技术护城河
面对广阔的市场前景与激烈的全球竞争，持续的巨额研发投入是长鑫科技实现技术追赶与市场突破最坚实的底气。长鑫的核心竞争力，正源于其将战略决心转化为创新投入的核心引擎。招股书显示，2022年至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入为188.67亿元，占累计营业收入的33.11%，其中2024年研发投入63.41亿元，同比2023年增长35.77%。
2025年上半年，长鑫科技研发费用率达23.71%，超过同期行业平均值10.37%，也明显高于国际DRAM巨头三星电子、SK海力士、美光同期的研发费用率11.74%、7.39%、10.66%。
基于高强度的研发投入，长鑫科技已建立起深厚的技术与专利壁垒。招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中包含3116项境内专利及2473项境外专利。根据世界知识产权组织统计数据，长鑫科技2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位；根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。
资本赋能：多元化的股东结构
招股书显示，长鑫科技目前无控股股东和实际控制人。截至招股书签署日，公司第一大股东清辉集电持股21.67%，第二大股东长鑫集成持股11.71%，其他持股5%以上的股东还包括国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）、合肥集鑫及安徽省投，分别持股8.73%、8.37%及7.91%。
此外，阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。公司的股权结构较为分散，且前十大股东中多为国资背景或产业基金，不存在单一持股比例超过50%的股东。
随着“国产存储第一股”即将登陆科创板，长鑫科技有望借助资本市场的东风，进一步加速技术迭代，不仅在千亿级的AI驱动市场中把握增长机遇，更将为中国在全球存储芯片领域的自主可控与崛起，注入一剂关键的“强心针”。
