存储芯片涨价潮助推三星Q4利润飙升208%

存储芯片涨价潮助推三星Q4利润飙升208%

2026年01月08日 14:20
本文共计1281个字,预计阅读时长5分钟。
来源/财联社 责编/爱力方

财联社1月8日讯(编辑 卞纯)周四(1月8日),全球最大的内存芯片制造商三星电子发布了2025年第四季度初步业绩,显示受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮,当季公司营业利润大幅增长,且好于市场预期。

根据初步业绩,三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元(约合138.2亿美元‍),较上年同期飙升208%,高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元

这将是三星有史以来最高的季度营业利润。该公司此前的单季营业利润峰值为 2018年三季度创下的17.6万亿韩元。

初步业绩还显示,三星电子第四季度销售额同比增长23%,至93万亿韩元。这是三星单季销售额连续第二季突破80万亿韩元,去年第三季度销售额为86万亿韩元。

image

三星预计将于本月晚些时候发布完整业绩,包括其各项业务的收益明细。

AI引爆存储芯片涨价潮

三星亮眼的业绩背后,是供应紧张和人工智能驱动的需求激增推高了传统存储芯片的价格。

近几个月来,存储芯片价格持续上涨。一方面,芯片产业正转向人工智能相关芯片的生产,传统存储芯片产能因此受到挤压;另一方面,训练和运行人工智能模型对传统芯片与高端芯片的需求均在激增。

三星等存储芯片制造商正逐步缩减消费级通用存储芯片的产能,转而加大面向英伟达等人工智能巨头的高利润高端存储芯片的生产力度,以满足大型数据中心的需求。这一产能调整直接导致笔记本电脑与服务器所用的标准存储芯片供应严重短缺,进而推动DRAM和NAND 闪存价格大幅飙升。

本周早些时候有消息称,三星与其本土竞争对手海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价,今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。

里昂证券韩国区研究主管Sanjeev Rana表示,2025年四季度,DRAM芯片的平均售价环比上涨超30%,NAND闪存的平均售价环比上涨了约20%。

“超大规模数据中心运营商和云服务商正在大量采购DRAM,而且愿意支付溢价。” Rana表示,并补充称,强劲价格走势有望贯穿整个2026年,甚至延续至2027年上半年,“即便在那之后,价格也可能不会明显回落,因为市场需求过于强劲,而供应端则处于紧张状态”。

Counterpoint Research预测,本季度DDR5价格将环比上涨40%,第二季度还将进一步增长 20%。DDR5是当前电脑和服务器采用的最新一代传统DRAM。

在高带宽存储(HBM)领域,三星此前落后于SK海力士和美光科技,该公司一直在努力缩小与与竞争对手的差距。上周五,三星首席执行官全永铉表示,三星客户对其下一代HBM芯片(即HBM4)的竞争优势给予了高度评价,并引用客户的话称“三星回归了”。

Rana预计,随着HBM4进入商用阶段,三星电子 2026 年的 HBM 出货量将增加两倍。

三星股价2025年上涨了125%,创下26年来最大年度涨幅。新年伊始,三星股价在过去几天进一步飙升,反映出在竞争对手美光科技给出乐观预测后,市场对其季度业绩井喷的期望。仅在过去一周,就有多位分析师上调了三星的目标价。

来源:AI引爆存储芯片涨价潮!三星Q4营业利润飙升208% 创历史新高 | 财联社

声明:本文来自财联社,版权归作者所有。文章内容仅代表作者独立观点,不代表A³·爱力方立场,转载目的在于传递更多信息。如有侵权,请联系 copyright#agent.ren。

相关图文

热门资讯