内存合约价格或大幅上涨 科创芯片设计ETF天弘近10日净流入超3300万元

2026年02月25日 10:55
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来源/每日经济新闻 责编/爱力方

每经编辑|肖芮冬    

2月24日,两市高开震荡,芯片设计概念下跌。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数收盘跌0.89%,成交额达3598.74万元;换手率达6.04%。成分股中,国芯科技、芯原股份、英集芯跌超5%,复旦微电、寒武纪-U、翱捷科技-U等多股跟跌。

科创芯片设计ETF天弘(589070)最近十个交易日累计获资金净流入3375.74万元。截至2026年2月13日,该基金最新规模为6.00亿元,年初至今规模增长达6.00亿元,为同类基金第一。

科创芯片设计ETF天弘(589070)紧密跟踪科创芯片设计指数,该指数近一年涨幅达65.03%,其行业配置主要包括半导体(95.41%)、军工电子Ⅱ(3.82%)、软件开发(0.78%)等,前五大成分股为澜起科技、海光信息、芯原股份、寒武纪-U、佰维存储。

芯片设计指数当前PE-TTM为256.46倍,估值处于历史31.64%分位,意味着当前估值低于近三年近七成时间。从估值区间看,指数已进入相对合理区间,具备一定中长期配置性价比。

消息面上,据半导体行业观察报道,内存合约价格预计将大幅上涨,同时美光科技指出存储芯片市场需求远超供应,供应紧张局面或将延续。此外,行业迎来技术突破,共封装光学技术商业化进程加快,Lumentum已获数亿美元相关订单,而英伟达预告将于下月发布多款新型芯片,引发市场高度关注。另据每经网消息,部分国内芯片设计企业已宣布对MCU等产品调价,涨幅显著。北京大学团队也在铁电晶体管技术上实现关键突破,将栅长缩减至1纳米。

东吴证券指出,字节跳动等科技巨头加大芯片设计投入,专注于AI芯片的自主研发与先进工艺合作,旨在提升性能并降低算力成本,凸显芯片设计在人工智能时代的核心战略地位。

来源:内存合约价格预计将大幅上涨!科创芯片设计ETF天弘(589070)近10日净流入超3300万元 | 每日经济新闻

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